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目录1

第一章 晶体的结构1

一 晶体的特征1

二 晶体的基本类型3

三 晶胞11

四 晶面14

五 硅、锗单晶中几种晶面的比较16

六 器件生产工艺中与晶体结构有关的一些问题22

第二章 电离平衡27

一 弱电解质的电离平衡27

二 弱电解质电离平衡的移动33

三 多相离子平衡41

四 络合物、络离子的离解平衡46

五 络合物在器件生产工艺中的应用52

第三章 电化学55

一 原电池55

二 电极电位57

三 氧化还原反应进行的方向62

四 电解、电镀63

五 阳极氧化69

第四章 硅的高温氧化、硅的化合物72

一 硅72

二 硅的高温氧化76

三 二氧化硅79

四 石英玻璃81

五 有机硅化合物、热分解淀积二氧化硅法82

六 磷硅玻璃85

七 碳化硅87

八 氮化硅87

九 四氯化硅89

第五章 化学清洗90

一 硅片表面沾污的杂质类型和来源90

二 有机溶剂的去污作用92

三 合成洗涤剂的去污作用94

四 无机酸的去杂质作用98

五 去离子水在清洗中的作用106

第六章 光刻与扩散工艺中的化学原理107

一 光刻工艺简介107

二 光刻胶110

三 等离子体去胶121

四 扩散工艺122

第七章 离子交换树脂与去离子水的制备139

一 H型阳树脂139

二 OH型阴树脂142

三 去离子水的制备原理145

四 离子交换树脂的再生147

五 电渗析法脱盐150

第八章 制版工艺中的化学原理154

一 制版工艺简介154

二 乳胶的组成与制备155

三 乳胶中明胶与卤化银的作用158

四 光谱增感162

五 敏化中心、潜影167

六 灰雾171

七 显影174

八 定影184

九 加厚与减薄188

十 金属版190

一 半导体材料及辅助材料的纯度表示法194

二 化学试剂的级别194

附录194

三 酸、碱与盐的溶解性表196

四 常用有机溶剂的重要物理性质197

五 王水、洗液的配制198

六 常用的硅腐蚀液198

七 半导体材料与金属的常用腐蚀液199

八 分子筛与105催化剂200

九 化学镀镍202

十 硅片的化学机械抛光206